Химически стойкая система плазменного травления c индуктивной связью (icp)

Источник питания SRF - 0 ~ 1000 Вт/2000 Вт/3000 Вт/5000 Вт с возможностью регулировки, автоматическое согласование, 13,56 МГц/27 МГц

Источник питания BRF - 0 ~ 300 Вт/0 ~ 500 Вт/0 ~ 1000 Вт с возможностью регулировки, автоматическое согласование, 2 МГц/13,56 МГц

Молекулярный насос - Антикоррозийная защита: 600/1300 (л./с)/на заказ

Передний насос - Антикоррозийный сухой насос

Насос предварительной откачки - Механический насос/сухой насос

Рабочее давление - Неконтролируемое давление/0-0,1/1/10Торр контролируемое давление

Тип газа - H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/Под заказ (До 12 каналов)

Газовая плита -0 ~ 5 см/50 см/100 см/200 см/300 см/500 см/1000 см/на заказ

Блокировка нагрузки - Да

Температурный контроль образцов - -30°C~200°C/На заказ

Обратное гелиевое охлаждение - Да

Технологическая облицовка полости - Да

Контроль температуры стенки полости - Комнатная температура-60/120°C

Система управления - Автоматическая/ Под заказ

Материал для травления:
Силиконовая основа: Si / SiO2 / SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Магнитный материал /сплавный материал
Металлические материалы: Ni/Cr/Al/Cu / Au...
Органические материалы: PR/органическая пленка......